[发明专利]一种高精度DC/DC转换器限流电路

摘要

本发明特别涉及一种高精度DC/DC转换器限流电路，其特征在于，包括EA误差放大器和电流限制补偿电路，所述电流限制补偿电路包括比较器和限流电路。本发明通过全新的补偿电路补偿系统占空比变化导致的电流限制漂移，从而实现高精度的电流限制，改善了系统的性能。

主权项

一种高精度DC/DC转换器限流电路，其特征在于：包括EA误差放大器和电流限制补偿电路，电流限制补偿电路包括比较器和限流电路，其中限流电路的连接方式为：第一运算放大器VO1的同相输入端与端口Vin连接；第二运算放大器VO2的同相输入端与端口Vo连接；第一运算放大器VO1的输出端与第零N型MOS管MN0的栅极连接；第二运算放大器VO2的输出端与第五N型MOS管MN5的栅极连接；第一运算放大器VO1的反相输入端、第零N型MOS管MN0的源极与电阻R1的一端连接；第二运算放大器VO2的反相输入端、第五N型MOS管MN5的源极与电阻R2的一端连接；第一P型MOS管MP1的漏极、第一P型MOS管MP1的栅极、第零N型MOS管MN0的漏极与第二P型MOS管MP2的栅极连接；第四P型MOS管MP4的漏极、第四P型MOS管MP4的栅极、第五N型MOS管MN5的漏极与第三P型MOS管MP3的栅极连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第二N型MOS管MN2的漏极、第二N型MOS管MN2的栅极、第一N型MOS管MN1的栅极与第三N型MOS管MN3的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极、第四N型MOS管MN4的栅极与第三N型MOS管MN3的栅极连接；电阻R3的一端与第一N型MOS管MN1的漏极连接；第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第四P型MOS管MP4的源极、电阻R3的另一端与电源VDD连接，电阻R1的另一端、第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、第三N型MOS管MN3的源极、第四N型MOS管MN4的源极、电阻R2的另一端与地GND连接；所述EA误差放大器为共源共栅单级放大器，包括七个P型MOS管和四个N型MOS管，其连接方式为：第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接；第二P型MOS管MP2的栅极与该误差放大器的同向输入端连接；第三P型MOS管MP3的栅极与该误差放大器的反向输入端连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管MN3的源极与第一N型MOS管MN1的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的源极与第二N型MOS管MN2的漏极连接；第四P型MOS管MP4的栅极、第五P型MOS管MP5的栅极、第六P型MOS管MP6的漏极与第三N型MOS管MN3的漏极连接；第四P型MOS管MP4的漏极与第六P型MOS管MP6的源极连接；第五P型MOS管MP5的漏极与第七P型MOS管MP7的源极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极与该误差放大器的输出端口Vout连接；第一P型MOS管MP1的栅极与偏置电压Vpb1连接；第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极与偏置电压Vpb2连接；第一N型MOS管MN1的栅极、第二N型MOS管MN2的栅极与偏置电压Vnb1连接；第三N型MOS管MN3的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与偏置电压Vnb2连接，第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极与电源VDD连接，第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极与地GND连接。