[发明专利]一种高精度DC/DC转换器限流电路

说明书

技术领域

本发明属于电学领域，特别涉及一种高精度DC/DC转换器限流电路。

背景技术

近年来直流储能便携式电子设备迅猛发展，DC/DC类电源管理产品需求日趋扩大，随着便携式电子设备功能的日益强大，DC/DC集成电源管理系统的性能要求日益提高。传统DC/DC转换器的电流限制精度较差，随着转换系统占空比的变化而变化，从而影响了系统内部的峰值电流精度，进而影响了电源系统运行的可靠性，甚至影响整个设备的正常工作。

发明内容

本发明的目地是提供一种高精度DC/DC转换器限流电路，实现电流限制与系统工作占空比无关，确保系统安全稳定的工作。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种高精度DC/DC转换器限流电路，其特征在于，包括EA误差放大器和电流限制补偿电路。

所述EA误差放大器为共源共栅单级放大器，包括七个P型MOS管和四个N型MOS管，其连接方式为：第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接；第二P型MOS管MP2的栅极与该误差放大器的同向输入端连接；第三P型MOS管MP3的栅极与该误差放大器的反向输入端连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管MN3的源极与第一N型MOS管MN1的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的源极与第二N型MOS管MN2的漏极连接；第四P型MOS管MP4的栅极、第五P型MOS管MP5的栅极、第六P型MOS管MP6的漏极与第三N型MOS管MN3的漏极连接；第四P型MOS管MP4的漏极与第六P型MOS管MP6的源极连接；第五P型MOS管MP5的漏极与第七P型MOS管MP7的源极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极与该误差放大器的输出端口Vout连接；第一P型MOS管MP1的栅极与偏置电压Vpb1连接；第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极与偏置电压Vpb2连接；第一N型MOS管MN1的栅极、第二N型MOS管MN2的栅极与偏置电压Vnb1连接；第三N型MOS管MN3的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与偏置电压Vnb2连接，第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极与电源VDD连接，第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极与地GND连接。

所述电流限制补偿电路包括比较器和限流电路。

所述比较器包括一个电流漏，五个P型MOS管和三个N型MOS管，其连接方式为：第零P型MOS管MP0的漏极、第零P型MOS管MP0的栅极、电流源I的输入端、第四P型MOS管MP4的栅极与第一P型MOS管MP1的栅极连接；第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接；该运算放大器的同向输入端口VP与第三P型MOS管MP3的栅极连接；该运算放大器的反向输入端口VN与第二P型MOS管MP2的栅极连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第零N型MOS管MN0的栅极、第零N型MOS管MN0的漏极与第一N型MOS管MN1的栅极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第一N型MOS管MN1的漏极与第二N型MOS管MN2的栅极连接；第四P型MOS管MP4的漏极、第二N型MOS管MN2的漏极与运放的输出端Vout连接，第零P型MOS管MP0的源极、第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极与电源VDD连接，第零N型MOS管MN0的源极、第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、电流源I的流出端与地GND连接。