[发明专利]发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201210179079.X | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683521A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖;蒋伟 | 申请（专利权）人： | 泉州市博泰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面依次沉积n型GaN层、多量子阱叠层和p型GaN层；降低生长温度，开始生长粗化层；关闭镓源，升高温度至p型GaN外延层生长温度以上，再结晶形成晶体状粗化层；完成后续LED生长及芯片工序。本发明的方法采用了在外延过程中改变生长条件的原位粗化方式，简化了工续，并辅以高温再结晶工艺，使粗化层的晶体缺陷及损伤减少。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，包括：A、提供衬底；B、在所述衬底表面依次沉积n型GaN层、多量子阱叠层和p型GaN层；C、降低生长温度，开始生长粗化层；D、关闭镓源，升高温度至p型GaN外延层生长温度以上，再结晶形成晶体状粗化层；E、完成后续LED生长及芯片工序。
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