[发明专利]发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201210179079.X | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683521A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖;蒋伟 | 申请（专利权）人： | 泉州市博泰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管的制造方法，包括：
A、提供衬底；
B、在所述衬底表面依次沉积n型GaN层、多量子阱叠层和p型GaN层；
C、降低生长温度，开始生长粗化层；
D、关闭镓源，升高温度至p型GaN外延层生长温度以上，再结晶形成晶体状粗化层；
E、完成后续LED生长及芯片工序。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤C中降低后的生长温度为500℃-650℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤D的镓源为镓的金属氧化物源。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤D中升高后的温度为900℃-1100℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述再结晶的反应时间为5-15分钟。
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