[发明专利]一种采用硅合金的多层金属欧姆接触系统及其制造方法无效
| 申请号： | 201210178089.1 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102738224A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 任春江;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种采用硅合金的多层金属欧姆接触系统及其制造方法，其结构是AlGaN/GaNHEMT的源电极16和漏电极17的欧姆接触采用TiSi/Al/Ni/Au或者Ti/AlSi/Ni/Au或者TiSi/AlSi/Ni/Au的多层金属系统，其中TiSi、AlSi合金由双源电子束蒸发或者溅射淀积，Al、Ni和Au采用电子束蒸发或者溅射淀积。本发明的优点是制作的欧姆接触具有较小的接触电阻，同时能够较好的控制工艺的重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 合金 多层 金属 欧姆 接触 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种采用硅合金的铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的多层金属欧姆接触系统，其特征在于铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管源电极（16）和漏电极（17）所采用的欧姆接触金属系统从AlGaN层（13）上表面处依次为第一TiSi合金金属层（51）、Al金属层（52）、第一阻挡金属层（53），以及第一Au金属层（54），所述的第一阻挡金属层（53）由Ni、Mo、Pt、Ti中的一种或者多种金属的组合而成。
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