[发明专利]一种采用硅合金的多层金属欧姆接触系统及其制造方法

权利要求书

1.一种采用硅合金的铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的多层金属欧姆接触系统，其特征在于铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管源电极（16）和漏电极（17）所采用的欧姆接触金属系统从AlGaN层（13）上表面处依次为第一TiSi合金金属层（51）、Al金属层（52）、第一阻挡金属层（53），以及第一Au金属层（54），所述的第一阻挡金属层（53）由Ni、Mo、Pt、Ti中的一种或者多种金属的组合而成。

2.根据权利要求1的一种采用硅合金的铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的多层金属欧姆接触系统，其特征在于第一TiSi合金金属层（51）的厚度15nm-30nm，Al金属层（52）与TiSi合金金属层（51）的比值在3-10，第一阻挡金属层（53）的厚度10nm-30nm，第一Au金属层（54）的厚度20nm-50nm。

3.如权利要求1的一种采用硅合金的铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的多层金属欧姆接触系统的制造方法，其特征是该方法包括如下工艺：

一、在AlGaN势垒层（13）上涂敷光刻胶层（22），之后曝光并显影去除需要形成欧姆接触区的光刻胶；

二、双源电子束蒸发或者溅射第一TiSi合金金属层（51）到AlGaN势垒层（13）、光刻胶层（22）上；

三、电子束蒸发或者溅射Al金属层（52）到第一TiSi合金金属层（51）上；

四、电子束蒸发或者溅射第一阻挡金属层（53）到Al金属层（52）上，第一阻挡金属层（53）由Ni、Mo、Pt、Ti中的一种或者多种金属的组合组成；

五、电子束蒸发或者溅射第一Au金属层（54）到第一阻挡金属层（53）上；

六、剥离去除光刻胶（22）以及其上的第一欧姆接触金属层（21）得到源电极（16）和漏电极（17）；

七、在惰性气体保护下，高温热退火使得源电极（16）和漏电极（17）与AlGaN层（13）形成欧姆接触。

4.一种采用硅合金的铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的多层金属欧姆接触系统，其特征在于铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管源电极（16）和漏电极（17）所采用的欧姆接触金属系统是从AlGaN层（13）上表面处开始依次为Ti金属层（61）、第一AlSi合金金属层（62）、第二阻挡金属层（63）和第二Au金属层（64），其中第二阻挡金属层（63）由Ni、Mo、Pt、Ti中的一种或者多种金属的组合组成。

5.根据权利要求4所述的一种采用硅合金的铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的多层金属欧姆接触系统，其特征在于Ti金属层（61）的厚度15nm-30nm，第一AlSi合金金属层（62）与Ti金属层（61）的比值3-10，第二阻挡金属层（63）的厚度10nm-30nm，第二Au金属层（64）的厚度20nm-50nm。

6.如权利要求4的一种采用硅合金的铝镓氮/氮化镓高迁移率晶体管的多层金属欧姆接触系统的制造方法，其特征是该方法包括如下工艺：

一、AlGaN势垒层（13上）涂敷光刻胶层（22），之后曝光并显影去除需要形成欧姆接触区的光刻胶；

二、电子束蒸发或者溅射Ti金属层（61）到AlGaN势垒层（13）、光刻胶层（22）上；

三、双源电子束蒸发或者溅射第一AlSi合金金属层（62）到Ti金属层（61）上；

四、电子束蒸发或者溅射第二阻挡金属层（63）到第一AlSi合金金属层（62）上，第二阻挡金属层（63）由Ni、Mo、Pt、Ti中的一种或者多种金属的组合组成；

五、电子束蒸发或者溅射第二Au金属层（64）到第二阻挡金属层（63）上；

六、剥离去除光刻胶层（22）以及其上的第二欧姆接触金属层（31）得到源电极（16）和漏电极（17）；

七、惰性气体保护下高温热退火使得源电极（16）和漏电极（17）与AlGaN层（13）形成欧姆接触。

7.一种采用硅合金的铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的多层金属欧姆接触系统，其特征在于铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管源电极（16）和漏电极（17）所采用的欧姆接触金属系统从AlGaN层（13）上表面处开始依次为第二TiSi合金金属层（71）、第二AlSi合金金属层（72）、第三阻挡金属层（73），以及第三Au金属层（74）；所述的第三阻挡金属层（73）由Ni、Mo、Pt、Ti中的一种或者多种金属的组合组成。