[发明专利]半导体封装件及其制造方法无效
申请号: | 201210174969.1 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102810527A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 韩圭镇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜盛花;陈源 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括:包括相对的第一表面和第二表面的第一衬底;穿透所述第一衬底的第一贯通电极;包括相对的第一表面和第二表面的第二衬底;穿透所述第二衬底的第二贯通电极;绝缘图案,其插入在所述第一衬底的第二表面和所述第二衬底的第一表面之间,以至少部分地暴露所述第一衬底的第二表面和所述第二衬底的第一表面;以及连接图案,其布置在由所述绝缘图案以及所述第一衬底和第二衬底限定的空间内,以将所述第一贯通电极与所述第二贯通电极电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体封装件,包括:包括彼此面对的第一表面和第二表面的第一衬底;穿透所述第一衬底的第一贯通电极;包括彼此面对的第一表面和第二表面的第二衬底;穿透所述第二衬底的第二贯通电极;绝缘图案,其插入在所述第一衬底的第二表面和所述第二衬底的第一表面之间,以至少部分地暴露所述第一衬底的第二表面和所述第二衬底的第一表面;以及连接图案,其布置在由所述绝缘图案以及所述第一衬底和第二衬底限定的空间内,以将所述第一贯通电极与所述第二贯通电极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210174969.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种清热解毒保健养生茶
- 下一篇:高压电击灭鼠装置