[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

包括彼此面对的第一表面和第二表面的第一衬底；

穿透所述第一衬底的第一贯通电极；

包括彼此面对的第一表面和第二表面的第二衬底；

穿透所述第二衬底的第二贯通电极；

绝缘图案，其插入在所述第一衬底的第二表面和所述第二衬底的第一表面之间，以至少部分地暴露所述第一衬底的第二表面和所述第二衬底的第一表面；以及

连接图案，其布置在由所述绝缘图案以及所述第一衬底和第二衬底限定的空间内，以将所述第一贯通电极与所述第二贯通电极电连接。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，还包括第一金属焊盘，其布置在所述第二衬底的第一表面上并且与所述第二贯通电极相邻，其中所述第一贯通电极和第二贯通电极经由所述第一金属焊盘彼此电连接。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，还包括第二金属焊盘，其布置在所述第一衬底的第二表面上并且与所述第一贯通电极相邻，其中所述第一贯通电极和第二贯通电极经由所述第二金属焊盘彼此电连接。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

所述第一衬底的第二表面上的第一层间绝缘层；以及

所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，

其中所述第一贯通电极以这样的方式穿透所述第一层间绝缘层，该方式为使得所述第一贯通电极的顶面至少与所述第二层间绝缘层的底面共面。

5.如权利要求4所述的半导体封装件，还包括金属互连线，其布置在所述第二层间绝缘层中，以将所述连接图案与所述第一贯通电极电连接。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，还包括所述第一衬底的第二表面上的粘合剂层。

7.如权利要求6所述的半导体封装件，还包括在所述第二衬底的第一表面和所述第一衬底的第二表面的至少一个上的绝缘层。

8.如权利要求1所述的半导体封装件，其中所述连接图案填充由所述绝缘图案以及所述第一衬底和第二衬底限定的空间的至少一部分。

9.如权利要求8所述的半导体封装件，还包括：

布置成面对所述第一衬底的第一表面的封装件衬底；

布置在所述封装件衬底的一个表面上的导电图案；以及

布置在所述封装件衬底的另一个表面上的多个连接端子。

10.如权利要求8所述的半导体封装件，其中所述连接图案和所述多个连接端子由相同的材料形成。

11.一种制造半导体封装件的方法，该方法包括步骤：

形成设有第一贯通电极的第一衬底，该第一衬底包括彼此面对的第一表面和第二表面，所述第一贯通电极穿透所述第一衬底；

形成设有第二贯通电极的第二衬底，该第二衬底包括彼此面对的第一表面和第二表面，所述第二贯通电极穿透所述第二衬底；

在所述第一衬底和第二衬底之间形成绝缘图案，以暴露所述第一衬底的第二表面的一部分和所述第二衬底的第一表面的一部分；

在由所述绝缘图案、所述第一衬底和所述第二衬底限定的空间内形成焊料凸块；以及

以高于所述焊料凸块的熔点的温度执行热处理以形成连接图案，该连接图案填充所述空间的至少一部分并且电连接到所述第一贯通电极和第二贯通电极。

12.如权利要求11所述的制造半导体封装件的方法，还包括形成第一金属焊盘的步骤，该第一金属焊盘布置在所述第二衬底的第一表面上并且与所述第二贯通电极相邻。

13.如权利要求11所述的制造半导体封装件的方法，还包括形成第二金属焊盘的步骤，该第二金属焊盘布置在所述第一衬底的第二表面上并且与所述第一贯通电极相邻。

14.如权利要求12所述的制造半导体封装件的方法，还包括在所述第一衬底的第二表面上形成粘合剂层的步骤，以暴露所述第一金属焊盘的一部分。

15.如权利要求13所述的制造半导体封装件的方法，还包括在所述第一衬底的第二表面上形成粘合剂层的步骤，以暴露所述第二金属焊盘的一部分。

16.如权利要求11所述的制造半导体封装件的方法，其中执行所述绝缘图案的形成的步骤，以部分地暴露所述第一贯通电极和第二贯通电极。