[发明专利]发光二极管阵列及其形成方法

摘要

本发明有关于一种发光二极管阵列及其形成方法。该阵列包含一具有一第一电极的第一发光二极管，以及一具有一第二电极的第二发光二极管。一第一介电层位于第一与第二发光二极管之间。第一介电层的一第一部分至少部分地覆盖第一发光二极管，第一介电层的一第二部分至少部分地覆盖第二发光二极管。一互连线至少部分地位于第一介电层上。该互连线将第一电极连接至第二电极。一反射层至少形成于第一介电层的第一及第二部分之上。一永久基板耦接至发光二极管面对反射层的一侧。

主权项

一种发光二极管阵列，其特征在于，包括：一第一发光二极管，包括一第一电极；一第二发光二极管，包括一第二电极，其中该第一发光二极管与该第二发光二极管分离；一第一介电层，位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，其中该第一介电层的一第一部分至少部分地覆盖该第一发光二极管，该第一介电层的一第二部分至少部分地覆盖该第二发光二极管；一互连线，至少部分地位于该第一介电层之上，该互连线将该第一电极连接至该第二电极；一反射层，至少形成于该第一介电层的该第一部分及该第二部分之上；以及一永久基板，耦接至该第一发光二极管与该第二发光二极管面对该反射层的一侧。