[发明专利]发光二极管阵列及其形成方法

权利要求书

1.一种发光二极管阵列，其特征在于，包括：

一第一发光二极管，包括一第一电极；

一第二发光二极管，包括一第二电极，其中该第一发光二极管与该第二发光二极管分离；

一第一介电层，位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，其中该第一介电层的一第一部分至少部分地覆盖该第一发光二极管，该第一介电层的一第二部分至少部分地覆盖该第二发光二极管；

一互连线，至少部分地位于该第一介电层之上，该互连线将该第一电极连接至该第二电极；

一反射层，至少形成于该第一介电层的该第一部分及该第二部分之上；以及

一永久基板，耦接至该第一发光二极管与该第二发光二极管面对该反射层的一侧。

2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该反射层与该互连线电性绝缘。

3.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该反射层实体上与该互连线分离。

4.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该反射层包括一第一反射层及一第二反射层，该第一反射层形成于该第一介电层的该第一部分之上，该第二反射层形成于该第一介电层的该第二部分之上，其中该第一反射层与该第二反射层分离。

5.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该反射层包括一单一而连续的反射层。

6.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该第一介电层至少部分地包覆该第一发光二极管及该第二发光二极管。

7.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该第一介电层包括等于或大于90%的一光学透明度。

8.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该第一介电层的材料选自下列族群中之一者：高分子、陶瓷及其任意组合。

9.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该反射层包含下列族群中之一者：分散式布拉格反射镜、全方位反射镜、银、铝、钛及其任意组合。

10.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该发光二极管阵列包括一n侧向上的阵列。

11.一种形成一发光二极管阵列的方法，其特征在于，包括：

形成一第一发光二极管及一第二发光二极管于一暂时基板上；

形成一第一介电层于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，其中该第一介电层的一第一部分至少部分地覆盖该第一发光二极管，该第一介电层的一第二部分至少部分地覆盖该第二发光二极管；

形成一互连线于该第一发光二极管上的一第一电极与该第二发光二极管上的一第二电极之间，其中该互连线至少部分地形成于该第一介电层之上；

形成一反射层至少于该第一介电层的该第一部分及该第二部分之上；

耦接一永久基板至该第一发光二极管与该第二发光二极管面对该反射层的一侧；以及

自该第一发光二极管与该第二发光二极管移除该暂时基板。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该反射层与该互连线电性绝缘。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成该反射层包括在一单一制程中形成一第一反射层于该第一介电层的该第一部分之上，以及形成一第二反射层于该第一介电层的该第二部分之上，其中该第一反射层与该第二反射层分离。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括在一单一制程中形成该反射层与该互连线。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括直接将该反射层沉积于该第一介电层之上。

16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该第一发光二极管与该第二发光二极管由一间隙分离。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括藉由以一介电材料覆盖该第一发光二极管及该第二发光二极管并填充位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间的该间隙，图案化该介电材料，及根据欲用以形成该第一介电层的图案移除部分的该介电材料，来形成该第一介电层。

18.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该暂时基板以一黏着层暂时性地接合至该第一发光二极管及该第二发光二极管，且其中该黏着层于该暂时基板被移除时被移除。