[发明专利]曝光的方法有效
| 申请号： | 201210174126.1 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103454860A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种曝光的方法，包括：提供待图形化基片；对待图形化基片进行第一次曝光；对经过第一次曝光后的待图形化基片进行再曝光，所述再曝光具体操作为同时对掩膜版和基片转动同样的角度，然后进行曝光。本发明采用转换角度进行多次曝光的方式来消除EUV技术中的阴影效应，减小曝光中出现的图形的偏差，增加曝光精度。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种曝光的方法，其特征在于，包括：提供待图形化基片；通过掩膜版对待图形化基片进行第一次曝光；对经过第一次曝光后的待图形化基片进行再曝光，所述再曝光包括：对所述掩膜版和待图形化基片转动同样的角度，然后进行曝光。
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