[发明专利]曝光的方法有效
| 申请号： | 201210174126.1 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103454860A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种曝光的方法，其特征在于，包括：
提供待图形化基片；
通过掩膜版对待图形化基片进行第一次曝光；
对经过第一次曝光后的待图形化基片进行再曝光，所述再曝光包括：对所述掩膜版和待图形化基片转动同样的角度，然后进行曝光。
2.如权利要求1所述的曝光的方法，其特征在于，所述曝光的方法应用于EUV光刻设备。
3.如权利要求1所述的曝光的方法，其特征在于，所述待图形化基片为硅片。
4.如权利要求1所述的曝光的方法，其特征在于，所述再曝光进行一次或者连续进行多次。
5.如权利要求1所述的曝光的方法，其特征在于，对掩膜版和待图形化基片进行转动的速度相同。
6.如权利要求1所述的曝光的方法，其特征在于，对掩膜版和待图形化基片转动的角度为90°、120°、-90°、-120°、-180°或180°。
7.如权利要求1所述的曝光的方法，其特征在于，对掩膜版和待图形化基片进行转动的速度为0.3-0.7转/秒。
8.如权利要求1所述的曝光的方法，其特征在于，对掩膜版和待图形化基片进行转动的方式为连续朝同样的方向转动。
9.如权利要求1所述的曝光的方法，其特征在于，对掩膜版和待图形化基片进行转动的方式为先朝左边转动一次，再朝右边转动一次。
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