[发明专利]一种选择性发射极太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201210171390.X | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102709391A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 金井升;王单单;蒋方丹 | 申请（专利权）人： | 上饶光电高科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 334000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性发射极太阳电池的制备方法，含以下步骤：选取预处理的晶体硅片，在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构，即在需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域不进行织构化或少量织构化，在需要进行低掺杂浅扩散的非金属电极区域进行深度织构化，接着采用限定源扩散在金属电极区域沉积有更多杂质，而在非金属电极区域沉积有较少的杂质，形成选择性发射极结构，最后经后续工序处理制备形成选择性发射极太阳电池。该方法工艺简单，材料成本低，易于工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是含以下步骤：选取预处理的晶体硅片，在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构，即在需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域不进行织构化或少量织构化，在需要进行低掺杂浅扩散的非金属电极区域进行深度织构化，接着采用限定源扩散在金属电极区域沉积有更多杂质，而在非金属电极区域沉积有较少的杂质，形成选择性发射极结构，最后经后续工序处理制备形成选择性发射极太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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