[发明专利]一种选择性发射极太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是含以下步骤：选取预处理的晶体硅片，在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构，即在需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域不进行织构化或少量织构化，在需要进行低掺杂浅扩散的非金属电极区域进行深度织构化，接着采用限定源扩散在金属电极区域沉积有更多杂质，而在非金属电极区域沉积有较少的杂质，形成选择性发射极结构，最后经后续工序处理制备形成选择性发射极太阳电池。

2.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：所述的晶体硅片为p型或n型单晶或多晶硅片，其电阻率为0.1~10Ω·cm，厚度为150~500μm。

3.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：晶体硅片的预处理含以下工序：选取晶体硅片，去除硅片表面损伤层，形成抛光表面，并进行化学清洗。

4.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：采用激光、机械法、掩膜加化学腐蚀的方法在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构。

5.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：采用限定源扩散。

6.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：采用限定源扩散在金属电极区域沉积有更多杂质，而在非金属电极区域沉积有较少的杂质，对于p型硅片，所述的杂质为磷，砷，锑或铋元素；对于n型硅片，所述的杂质为硼、铝、镓、铟或铊元素，其在晶体硅片中的导电类型与晶体硅片的导电类型相反。

7.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：所述的后续工艺含有去除背面p-n结，或去除周边p-n结，在晶体硅片前表面沉积减反射层，丝网印刷正电极、背电极和背电场以及烧结工序。

8.根据权利要求7所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：丝网印刷正电极的区域即为需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域。