[发明专利]一种半导体器件有源区或多晶硅折角处电阻的测量结构及测量方法有效
| 申请号： | 201210170156.5 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103456717A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 苗彬彬;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件有源区或多晶硅折角处电阻的测量结构，包括：硅基板衬底上生长有与其同型掺杂的有源区或多晶硅，一侧形成有非封闭型多边形组成的折角区域，非封闭型多边形每一边具有n个方块数，所述折角区域一端具有测量端口五，另一端与一直线形区域相接，所述直线形区域具有测量端口一至测量端口四，所述非封闭型多边形的边数为x≥3。本发明还公开了一种利用上述电阻测量结构测量半导体器件源区或多晶硅折角处电阻的测量方法。本发明半导体器件有源区或多晶硅折角处电阻的电阻测量结构及测量方法能准确测量半导体器件有源区或多晶硅折角处的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 有源 多晶 硅折角处 电阻 测量 结构 测量方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件有源区或多晶硅折角处电阻的测量结构，其特征是，包括：硅基板衬底上生长有与其同型掺杂的有源区或生长有多晶硅，一侧形成有非封闭型多边形组成的折角区域，非封闭型多边形每一边具有n个方块数，n≥10，所述折角区域一端具有测量端口五，另一端与一直线形区域相接，所述直线形区域具有测量端口一至测量端口四，所述非封闭型多边形的边数为x，x≥3。
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