[发明专利]一种半导体器件有源区或多晶硅折角处电阻的测量结构及测量方法

权利要求书

1.一种半导体器件有源区或多晶硅折角处电阻的测量结构，其特征是，包括：硅基板衬底上生长有与其同型掺杂的有源区或生长有多晶硅，一侧形成有非封闭型多边形组成的折角区域，非封闭型多边形每一边具有n个方块数，n≥10，所述折角区域一端具有测量端口五，另一端与一直线形区域相接，所述直线形区域具有测量端口一至测量端口四，所述非封闭型多边形的边数为x，x≥3。

2.如权利要求1所述的电阻测量结构，其特征是：所述非封闭型多边形为正多边形。

3.一种利用如权利要求1所述电阻测量结构测量半导体器件源区或多晶硅折角处电阻的测量方法，其特征是，包括：

（1）用卡尔文测电阻方法，测量直线区域测量端口一、测量端口四测得电阻R1a，测量端口一至测量端口四之间共有m个方块数，则直线区域的方块电阻R_口＝R1a/m；

（2）测量测量端口二、测量端口五测得整个电阻测量结构的电阻R1b；

（3）电阻测量结构的方块数为xn+m，x为多边形的边数，x≥3；

（4）电阻测量结构理论电阻为[xn+m]×R_口，则R1b-[xn+m]×R_口为本电阻测量结构所有折角处的电阻值，则每个折角处电阻值为｛R1b-[xn+m]×R_口｝/x-1。