[发明专利]磁通引导的、大电流感应器无效
| 申请号： | 201210162702.0 | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102646498A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | T·T·汉森;J·J·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 韦沙戴尔电子公司 |
| 主分类号： | H01F17/04 | 分类号： | H01F17/04;H01F27/255;H01F41/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国内*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁通引导的大电流感应器（30），包括：具有第一端和相对的第二端的感应器主体（12、14）；以及延伸穿过所述感应器主体的导体（32、34）。所述导体包括穿过所述感应器主体的横截面区域的多个分开的通道，由此将由流过所述导体的电流（36、40）感应的磁通量（50、52、54、56）导引到两个或更多个横截面区域中并降低了给定的单个区域的磁通密度。感应器主体可以由第一铁磁板（12）和第二铁磁板（14）形成。感应器可以由单元件磁心形成并具有一个或多个狭缝（16）用于规定电感。感应器可以由磁粉形成。提供了一种用于制造磁通引导的大电流感应器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 引导 电流 感应器 | ||
【主权项】：
一种磁通引导的大电流感应器，包括：感应器主体；以及延伸穿过所述感应器主体的单个导体，所述导体的几何结构被选择成使得在所述感应器主体的第一横截面区域和第二横截面区域中沿相对的方向导引由流过所述导体的电流感应的磁通量，从而降低了所述感应器主体的给定单个区域的磁通密度，由此增大了所述感应器发生饱和时的电流值。
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