[发明专利]磁通引导的、大电流感应器

权利要求书

1.一种磁通引导的大电流感应器，包括：

感应器主体；以及

延伸穿过所述感应器主体的单个导体，所述导体的几何结构被选择成使得在所述感应器主体的第一横截面区域和第二横截面区域中沿相对的方向导引由流过所述导体的电流感应的磁通量，从而降低了所述感应器主体的给定单个区域的磁通密度，由此增大了所述感应器发生饱和时的电流值。

2.如权利要求1所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述磁通引导的大电流感应器的高度断面小于约10毫米。

3.如权利要求1所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述感应器主体由第一铁磁板、第二铁磁板和位于所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的所述导体形成。

4.如权利要求3所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述第一铁磁板和所述第二铁磁板彼此隔开一定距离，该距离限定了所述感应器的电感特性。

5.如权利要求4所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述距离由所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的粘接剂膜的厚度来决定。

6.如权利要求1所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述感应器主体由单元件磁心来制造。

7.如权利要求1所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述感应器主体由压制的磁粉形成。

8.如权利要求1所述的磁通引导的大电流感应器，还包括所述感应器主体中的间隙，所述间隙指示所述感应器的电感。

9.一种磁通引导的大电流感应器，包括：

感应器主体；

延伸穿过所述感应器主体的导体；以及

设置在所述感应器主体上的片部分；

其中所述片部分具有比所述感应器主体的磁导率高的磁导率，使得由流过所述导体的电流感应的磁通量被从所述感应器主体分流走，由此增大了所述感应器发生饱和时的电流值。

10.如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，其中所述导体包括延伸穿过所述感应器主体的单个导体，所述单个导体的几何结构被选择成使得在所述感应器主体的第一横截面区域和第二横截面区域中沿相对的方向导引由流过所述单个导体的电流感应的磁通量，从而降低了所述感应器主体的给定单个区域的磁通密度，由此进一步增大了所述感应器发生饱和时的电流值。

11.如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述磁通引导的大电流感应器的高度断面小于约10毫米。

12.如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述感应器主体由第一铁磁板、第二铁磁板和位于所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的所述导体形成。

13.如权利要求12所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述第一铁磁板和所述第二铁磁板彼此隔开一定距离，该距离限定了所述感应器的电感特性。

14.如权利要求13所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述距离由所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的粘接剂膜的厚度来决定。

15.如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述感应器主体由单元件磁心来制造。

16.如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述感应器主体由压制的磁粉形成。

17.如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，还包括所述感应器主体中的间隙，所述间隙指示所述感应器的电感。

18.一种磁通引导的大电流感应器，包括：

第一铁磁板；

第二铁磁板；

所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的导体，所述导体包括穿过所述感应器的横截面区域的多个分开的通道，所述多个分开的通道用于将由流过所述导体的电流感应的磁通量导引到两个或更多个横截面区域中并降低了所述感应器的任何给定的单个横截面区域的磁通密度，所述导体包括第一通道和第二通道；以及

设置于所述第一铁磁板上的第一片部分和设置于所述第二铁磁板上的第二片部分，并且其中，所述第一片部分和所述第二片部分各具有比所述第一铁磁板和所述第二铁磁板的磁导率高的磁导率，使得DC感应的磁通量被从所述第一铁磁板和所述第二铁磁板分流走。