[发明专利]一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法无效
| 申请号： | 201210162611.7 | 申请日： | 2012-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102664154A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 郭小军;徐小丽;冯林润;唐伟 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 祖志翔 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，通过溶液法工艺对所述薄膜晶体管进行封装，其在常规的金属氧化物半导体薄膜晶体管制备工艺工序之后，采用旋涂、喷涂、滴涂、丝网印刷或提拉法在所述薄膜晶体管的金属氧化物有源层、源电极和漏电极上制备器件保护层，成膜后进行退火。本发明不会对金属氧化物有源层产生破坏，在提高器件稳定性的同时不会损坏器件的电学性能，同时节约了封装成本，适用于在柔性衬底上制备的金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 金属 氧化物 半导体 薄膜晶体管 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述封装方法包括如下步骤：第一步，采用喷墨印刷、丝网印刷、光刻或者使用具有一定图案的掩膜进行热蒸镀的方法在绝缘衬底(11)的上表面上制备栅电极(12)；第二步，采用旋涂、刮涂、热生长或溅射方法在绝缘衬底(11)和栅电极(12)上制备栅极绝缘层(13)；第三步，采用旋涂、喷涂、喷墨打印、溅射或外延生长法在栅极绝缘层(13)上制备金属氧化物有源层(14)，成膜后进行退火；第四步，采用溅射、光刻、喷墨印刷、丝网印刷或者使用具有一定图案的掩膜进行热蒸镀的方法在金属氧化物有源层(14)上制备源电极(15)和漏电极(16)；第五步，采用旋涂、喷涂、滴涂、刮涂、丝网印刷或提拉法在金属氧化物有源层(14)、源电极(15)和漏电极(16)上制备器件保护层(17)，成膜后进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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