[发明专利]一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法无效
| 申请号： | 201210162611.7 | 申请日： | 2012-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102664154A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 郭小军;徐小丽;冯林润;唐伟 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 祖志翔 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 金属 氧化物 半导体 薄膜晶体管 封装 方法 | ||
1.一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述封装方法包括如下步骤：
第一步，采用喷墨印刷、丝网印刷、光刻或者使用具有一定图案的掩膜进行热蒸镀的方法在绝缘衬底(11)的上表面上制备栅电极(12)；
第二步，采用旋涂、刮涂、热生长或溅射方法在绝缘衬底(11)和栅电极(12)上制备栅极绝缘层(13)；
第三步，采用旋涂、喷涂、喷墨打印、溅射或外延生长法在栅极绝缘层(13)上制备金属氧化物有源层(14)，成膜后进行退火；
第四步，采用溅射、光刻、喷墨印刷、丝网印刷或者使用具有一定图案的掩膜进行热蒸镀的方法在金属氧化物有源层(14)上制备源电极(15)和漏电极(16)；
第五步，采用旋涂、喷涂、滴涂、刮涂、丝网印刷或提拉法在金属氧化物有源层(14)、源电极(15)和漏电极(16)上制备器件保护层(17)，成膜后进行退火。
2.根据权利要求1所述的用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述绝缘衬底(11)为玻璃、塑料薄膜或重掺杂单晶硅片。
3.根据权利要求1所述的用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述栅电极(12)的材料为能够导电的金属、掺杂的硅、铟锡氧化物或聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐有机导电材料。
4.根据权利要求1所述的用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述栅极绝缘层(13)为SiOx、SiNx、金属氧化物或有机聚合物构成的绝缘薄膜。
5.根据权利要求1所述的用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述金属氧化物有源层(14)由氧化锌、氧化铟镓锌、氧化铟锌或氧化铟镓构成。
6.根据权利要求1所述的用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述源电极(15)和漏电极(16)的材料为金、银或铝。
7.根据权利要求1所述的用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述器件保护层(17)的材料为有机聚合物。
8.根据权利要求1所述的用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述有机聚合物为聚二甲基硅氧烷、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯。
9.根据权利要求1所述的用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述步骤第五步中，退火的温度不超过150℃。
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