[发明专利]一种单晶炉中氧含量的控制方法无效
| 申请号： | 201210162054.9 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103422167A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 余思明;程佑富 | 申请（专利权）人： | 浙江锦锋光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 林蜀 |
| 地址： | 324300 浙江省衢州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶炉中氧含量的控制方法，该方法是将单晶炉抽成真空，从30千瓦/小时的功率开始升温，每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率，直至功率达60千瓦/小时并保持半小时后，将功率增加至75千瓦/小时进行升温并保持半小时后，将功率增加至80～90千瓦/小时进行升温至硅料熔化，在上述过程中始终保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内即可。采用本发明，由于采取逐步增加功率进行升温的办法，石英坩锅（二气化硅）在升温过程中也逐步释放氧气并被大流量的氩气冲走，而硅也不易在低温、中温时吸附氧，能有效降低单晶硅的氧含量，确保硅电池片的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶炉中氧 含量 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶炉中氧含量的控制方法，其特征在于它包括以下步骤，A：将单晶炉抽成真空；B：按30千瓦/小时的功率开始升温，每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内，直至功率达60千瓦/小时；C：保持60千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至75千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；D：保持75千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至80～90千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；E：保持80～90千瓦/小时功率至硅料熔化，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内即可。
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