[发明专利]一种单晶炉中氧含量的控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种单晶炉中氧含量的控制方法。

背景技术

硅中氧含量越高，则硅电池片的转换效率就越低。因此，在直拉单晶生产过程中，有效控制单晶中的氧含量十分重要。

发明内容

本发明的目的是提供在直接单晶过程中，能降低硅中氧含量的一种单晶炉中氧含量的控制方法

本发明采取的技术方案是：一种单晶炉中氧含量的控制方法，其特征在于它包括以下步骤，A：将单晶炉抽成真空；B：按30千瓦/小时的功率开始升温，每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内，直至功率达60千瓦/小时；C：保持60千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至75千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；D：保持75千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至80～90千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；E：保持80～90千瓦/小时功率至硅料熔化，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内即可。

采用本发明，由于采取逐步增加功率进行升温的办法，石英坩锅（二气化硅）在升温过程中也逐步释放氧气并被大流量的氩气冲走，而硅也不易在低温、中温时吸附氧，能有效降低单晶硅的氧含量，确保硅电池片的转换效率。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对发明作进一步说明。它包括以下步骤：

1、将单晶炉抽成真空；

2、按30千瓦/小时的功率开始升温，每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内，直至功率达60千瓦/小时；

3、保持60千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至75千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；

4、保持75千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至80～90千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；

5：保持80～90千瓦/小时功率至硅料熔化，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内即可。