[发明专利]一种耐高温硬掩膜版制备方法

摘要

本发明属于微电子技术领域,具体为一种耐高温硬掩膜版制备方法。此耐高温硬掩膜版采用氧化锌材料，具体表现为在衬底上利用传统光刻技术使用正性光刻胶转移图形，然后室温下淀积一层氧化锌薄膜，去除光刻胶及其上的氧化锌薄膜层则衬底上留下与光刻胶相反的图形。在此基础上，可以根据需要在高温下淀积各种高温生长材料，最后通过能快速腐蚀氧化锌但对所淀积材料影响忽略不计的稀浓度酸去除氧化锌及其上的材料,最终实现在衬底上形成各种图形淀积材料结构。

主权项

一种耐高温硬掩膜版制备方法，其特征在于具体步骤如下：⑴、在衬底上，通过光刻技术制备厚度为200纳米到5微米的正性光刻胶图形；⑵、在离子刻蚀机中用氧气源去除衬底上光刻曝光及显影去除的正性光刻胶图形区域的光刻胶残留；⑶、在淀积设备中，在带正性光刻胶图形的衬底上室温下淀积厚度为50纳米到500纳米的氧化锌薄膜层，得到样片；⑷、将上述样片浸入丙酮溶液并超声去除衬底上的正性光刻胶及其上的氧化锌薄膜层，然后用无水乙醇清洗干净，并用氮气吹干；⑸、在离子刻蚀机中用氧气源去除样片衬底上非氧化锌覆盖处的光刻胶残留，随后把样片在快速退火炉中，在氧气环境下、500℃到1000℃高温快速退火5分钟到30分钟，使氧化锌薄膜由无定形变化为晶体结构，此时衬底上氧化锌薄膜层即为耐高温硬掩膜版；⑹、在淀积设备中，应用氧化锌硬掩膜版,在200℃到1000℃温度环境内淀积厚度为10纳米到500纳米的高温生长薄膜； ⑺、将淀积了高温生长薄膜的样片浸入稀酸，并超声处理，快速去除氧化锌硬掩膜及其上的高温生长薄膜，然后用去离子水清洗干净，最后用氮气吹干，即完成在衬底上制备高温生长薄膜图形层。