[发明专利]一种耐高温硬掩膜版制备方法

权利要求书

1. 一种耐高温硬掩膜版制备方法，其特征在于具体步骤如下：

⑴、在衬底上，通过光刻技术制备厚度为200纳米到5微米的正性光刻胶图形；

⑵、在离子刻蚀机中用氧气源去除衬底上光刻曝光及显影去除的正性光刻胶图形区域的光刻胶残留；

⑶、在淀积设备中，在带正性光刻胶图形的衬底上室温下淀积厚度为50纳米到500纳米的氧化锌薄膜层，得到样片；

⑷、将上述样片浸入丙酮溶液并超声去除衬底上的正性光刻胶及其上的氧化锌薄膜层，然后用无水乙醇清洗干净，并用氮气吹干；

⑸、在离子刻蚀机中用氧气源去除样片衬底上非氧化锌覆盖处的光刻胶残留，随后把样片在快速退火炉中，在氧气环境下、500℃到1000℃高温快速退火5分钟到30分钟，使氧化锌薄膜由无定形变化为晶体结构，此时衬底上氧化锌薄膜层即为耐高温硬掩膜版；

⑹、在淀积设备中，应用氧化锌硬掩膜版,在200℃到1000℃温度环境内淀积厚度为10纳米到500纳米的高温生长薄膜； 

⑺、将淀积了高温生长薄膜的样片浸入稀酸，并超声处理，快速去除氧化锌硬掩膜及其上的高温生长薄膜，然后用去离子水清洗干净，最后用氮气吹干，即完成在衬底上制备高温生长薄膜图形层。

2.根据权利要求1所述的耐高温硬掩膜版制备方法，其特征在于，所述的衬底为可适用于光刻技术且耐500℃到1000℃高温的材料。

3.根据权利要求1所述的耐高温硬掩膜版制备方法，其特征在于，所述的淀积设备为物理气相淀积设备、化学气相淀积设备、脉冲激光淀积设备或电子束蒸发淀积设备。

4.根据权利要求1所述的耐高温硬掩膜版制备方法，其特征在于，所述的高温生长薄膜材料为钌酸锶、铁酸铋、钛酸锶钡、钛酸锶、钛酸钡或锆钛酸铅铁电材料，或半导体材料。

5.根据权利要求1所述的耐高温硬掩膜版制备方法，其特征在于，所述的正性光刻胶厚度与氧化锌掩膜版厚度比在3:1到10:1之间。

6.根据权利要求1所述的耐高温硬掩膜版制备方法，其特征在于，所述的氧化锌掩膜版厚度与高温生长薄膜厚度比1:1到10:1之间。

7.根据权利要求1所述的耐高温硬掩膜版制备方法，其特征在于，本发明所述的稀酸稀盐酸或稀磷酸，其体积浓度不高于20%。