[发明专利]一种半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201210161250.4 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102751231A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王敬;郭磊;王巍 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括形成在所述半导体衬底中的沟道区，以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区；和形成在所述半导体衬底中、所述有源区两侧的隔离沟槽，所述隔离沟槽中形成有稀土氧化物层，所述稀土氧化物层对所述沟道区引入沿所述沟道区长度方向的应力。通过在半导体器件的沟槽隔离区域形成稀土氧化物层作为绝缘物，从而向半导体器件的特定区域引入应力，显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长取代传统的复杂的绝缘物填充方式，极大地简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括形成在所述半导体衬底中的沟道区，以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区；和形成在所述半导体衬底中、所述有源区两侧的第一隔离沟槽，所述第一隔离沟槽中形成有第一稀土氧化物层，所述第一稀土氧化物层对所述沟道区引入沿所述沟道区长度方向的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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