[发明专利]一种具有低操作电压的BE-SONOS结构器件及形成方法有效
| 申请号： | 201210158901.4 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102709330A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 田志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低操作电压的BE-SONOS结构器件，硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层（31）、渐变氮化硅层（32）、氮氧化硅层（33）、氮化硅层（34）、阻挡氧化层（35）和控制栅（36），所述氧化硅层与硅衬底相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 操作 电压 be sonos 结构 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有低操作电压的BE‑SONOS结构器件，其特征在于，硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层（31）、渐变氮化硅层（32）、氮氧化硅层（33）、氮化硅层（34）、阻挡氧化层（35）和控制栅（36），所述氧化硅层与硅衬底相接触。
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