[发明专利]一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210158843.5 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102709178A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法，其中，包括下列步骤：提供一种具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积一层第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层的表面沉积一层第二氮化硅层，所述第二氮化硅层为掺杂有杂质元素的氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层组成高拉应力的氮化硅薄膜；蚀刻所述PMOS晶体管表面，去除所述PMOS管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层；对所述半导体衬底进行快速热退火工艺；对所述NMOS晶体管进行刻蚀，去除NMOS晶体管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层。本发明的目的是提供一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法。该方法，优化了工艺，减小成本，同时能够改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 应力 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一种具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积一层第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层的表面沉积一层第二氮化硅层，所述第二氮化硅层为掺杂有杂质元素的氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层组成高拉应力的氮化硅薄膜；蚀刻所述PMOS晶体管表面，去除所述PMOS管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层；对所述半导体衬底进行快速热退火工艺；对所述NMOS晶体管进行刻蚀，去除NMOS晶体管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210158843.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种PDF文件在线存储和访问方法
- 下一篇：车载多媒体播放器播放方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
