[发明专利]具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法无效
申请号: | 201210157853.7 | 申请日: | 2012-05-21 |
公开(公告)号: | CN103426974A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 杨能辉 | 申请(专利权)人: | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;C23C14/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李鹤松 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法。该方法包括齐备一具有透明导电氧化物薄膜的基板;于该具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理,得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板;以及使用物理气相沉积法(PVD)在该具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板上形成一非晶质硅p型层(p-type layer),得到一具备p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板。本发明利用PVD形成该非晶质硅p型层,藉以避免透明导电氧化物薄膜的基板氧化需要再处理,而使后续应用简便,并显著降低成本。 | ||
搜索关键词: | 型非晶质硅 透明 导电 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法,其特征在于,所述制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法包括下列步骤:齐备一具有透明导电氧化物薄膜的基板;于所述具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理,得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板;以及使用物理气相沉积法在所述具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板上形成一非晶质硅p型层,得到一具备p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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