[发明专利]具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法

摘要

本发明提供一种具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法。该方法包括齐备一具有透明导电氧化物薄膜的基板；于该具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理，得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板；以及使用物理气相沉积法(PVD)在该具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板上形成一非晶质硅p型层(p-type layer)，得到一具备p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板。本发明利用PVD形成该非晶质硅p型层，藉以避免透明导电氧化物薄膜的基板氧化需要再处理，而使后续应用简便，并显著降低成本。

主权项

一种制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法，其特征在于，所述制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法包括下列步骤：齐备一具有透明导电氧化物薄膜的基板；于所述具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理，得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板；以及使用物理气相沉积法在所述具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板上形成一非晶质硅p型层，得到一具备p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板。