[发明专利]具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法无效

专利信息
申请号: 201210157853.7 申请日: 2012-05-21
公开(公告)号: CN103426974A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 杨能辉 申请(专利权)人: 光洋应用材料科技股份有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;C23C14/08
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李鹤松
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法。该方法包括齐备一具有透明导电氧化物薄膜的基板;于该具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理,得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板;以及使用物理气相沉积法(PVD)在该具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板上形成一非晶质硅p型层(p-type layer),得到一具备p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板。本发明利用PVD形成该非晶质硅p型层,藉以避免透明导电氧化物薄膜的基板氧化需要再处理,而使后续应用简便,并显著降低成本。
搜索关键词: 型非晶质硅 透明 导电 氧化物 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法,其特征在于,所述制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法包括下列步骤:齐备一具有透明导电氧化物薄膜的基板;于所述具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理,得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板;以及使用物理气相沉积法在所述具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板上形成一非晶质硅p型层,得到一具备p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板。
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