[发明专利]具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法

权利要求书

1.一种制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法，其特征在于，所述制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法包括下列步骤：

齐备一具有透明导电氧化物薄膜的基板；

于所述具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理，得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板；以及

使用物理气相沉积法在所述具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板上形成一非晶质硅p型层，得到一具备p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板。

2.如权利要求1所述的制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法，其特征在于，齐备所述具有透明导电氧化物薄膜的基板的步骤更包括先齐备一基材；于所述基材上沉积一透明导电氧化物薄膜。

3.如权利要求1所述的制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法，其特征在于，于所述具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理，得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板，其是使用一酸液浸渍所述具有透明导电氧化物薄膜的基板。

4.如权利要求1至3中任一项所述的制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法，其特征在于，透明导电氧化物薄膜为含有氧化锌的氧化物薄膜。

5.如权利要求1至3中任一项所述的制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法，其特征在于，透明导电氧化物薄膜为氧化铝锌薄膜。

6.如权利要求1所述的制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法，其特征在于，所述物理气相沉积法为溅射法，且于溅射法中所使用的靶材为掺杂硼的多晶硅靶材。

7.一种具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板，其特征在于，为权利要求1至6中任一项所述的方法制得。