[发明专利]一种快闪存储器的读电路有效

专利信息
申请号: 201210157501.1 申请日: 2012-05-18
公开(公告)号: CN103426478A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 王林凯;胡洪 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/06
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 栗若木;曲鹏
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种快闪存储器的读电路,包括:敏感放大器,包括第一、第二输入端,及输出端;切换单元;多个参考单元,各参考单元为浮栅型MOS存储器件;控制单元,用于指示所述切换单元从所述多个参考单元中选中一个参考单元;当该选中的参考单元的工作状态满足预定条件时,指示所述切换单元选中其它的参考单元;所述切换单元用于将所选中的参考单元的漏极连接到所述敏感放大器的第一输入端上。本发明能够增加快闪存储器多次读写后的可靠性。
搜索关键词: 一种 闪存 电路
【主权项】:
一种快闪存储器的读电路,包括:敏感放大器,包括第一、第二输入端,及输出端;其特征在于,还包括:切换单元;多个参考单元,各参考单元为浮栅型MOS存储器件;控制单元,用于指示所述切换单元从所述多个参考单元中选中一个参考单元;当该选中的参考单元的工作状态满足预定条件时,指示所述切换单元选中其它的参考单元;所述切换单元用于将所选中的参考单元的漏极连接到所述敏感放大器的第一输入端上。
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