[发明专利]一种快闪存储器的读电路有效

专利信息
申请号: 201210157501.1 申请日: 2012-05-18
公开(公告)号: CN103426478A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 王林凯;胡洪 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/06
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 栗若木;曲鹏
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 闪存 电路
【权利要求书】:

1.一种快闪存储器的读电路,包括:

敏感放大器,包括第一、第二输入端,及输出端;

其特征在于,还包括:

切换单元;

多个参考单元,各参考单元为浮栅型MOS存储器件;

控制单元,用于指示所述切换单元从所述多个参考单元中选中一个参考单元;当该选中的参考单元的工作状态满足预定条件时,指示所述切换单元选中其它的参考单元;

所述切换单元用于将所选中的参考单元的漏极连接到所述敏感放大器的第一输入端上。

2.如权利要求1所述的读电路,其特征在于,选中的参考单元的工作状态满足预定条件是指:

所选中的参考单元漏极输出的参考电流发生了漂移。

3.如权利要求1所述的读电路,其特征在于:

所述敏感放大器的第一输入端通过第一电阻连接高电平,第二输入端通过第二电阻接高电平;

所述多个参考单元的源极均接地,控制栅极均连接字线,漏极均与所述切换单元相连,其中被选中的参考单元的漏极还通过所述切换单元连接到所述敏感放大器的第一输入端上,并输出参考电流;

所述读电路还包括:

存储单元,为一浮栅型MOS存储器件,源极接地,控制栅极接读电压,漏极连接在所述敏感放大器的第二输入端上,输出漏极电流。

4.如权利要求3所述的读电路,其特征在于,所述读电路还包括:

至少一个本征参考单元,所述本征参考单元为浮栅型MOS存储器件,源极接地,控制栅极和漏极连接所述控制单元;

所述控制单元根据所述本征参考单元漏极输出的电流检测所选中的参考单元输出的参考电流是否发生了漂移。

5.如权利要求3所述的读电路,其特征在于,所述控制单元根据所述本征参考单元漏极输出的电流检测所选中的参考单元输出的参考电流是否发生了漂移是指:

所述控制单元将所选中的参考单元漏极输出的电流和所述本征参考单元漏极输出的电流进行比较;如果两个电流的差值的绝对值超过或等于一预设的变化阈值,则判断所选中的参考单元输出的参考电流发生了漂移。

6.如权利要求3所述的读电路,其特征在于,所述控制单元包括:

检测电路;

计数器,用于对所选择的参考单元的工作次数进行计数;

处理器,用于当所述切换电路选中了一个参考单元时、或当所述计数器的计数值到达一预定的次数阈值时,指示所述检测电路根据所述本征参考单元漏极电流检测所选中的参考单元漏极输出的参考电流是否发生了漂移,如果没有漂移则将所述计数器清零;如果漂移则指示所述切换电路选中其它的参考单元。

7.如权利要求1到6中任一项所述的读电路,其特征在于:

所述切换单元还用于为每个参考单元分配一个唯一标识,并将各标识排序,依各标识的顺序选中对应的参考单元。

8.如权利要求1到6中任一项所述的读电路,其特征在于:

所述控制单元还用于当所述切换单元选中下一个参考单元时,指示原先选中的参考单元进行自修复;

所述多个参考单元还用于当收到进行自修复的指示后,重新校准本参考单元至准确的基准状态,校准完成后通知所述控制单元。

9.如权利要求8所述的读电路,其特征在于:

所述控制单元还用于当最后一个参考单元也漂移时,指示所述切换单元选中已完成自我修复的参考单元。

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