[发明专利]硅片对准信号的处理方法

摘要

一种硅片对准信号的处理方法，包括对准操作与管理模块确定拟合模型；硅片对准系统进行对准扫描，信号采集与处理模块、位置采集与运动控制模块分别采集获得光强采样信号和对应的位置采样信号，并将光强采样信号和位置采样信号传送至对准操作与管理模块；将上次拟合获得的信号周期P代入拟合模型，对准操作与管理模块根据光强采样信号和位置采样信号采用最小二乘法拟合获得直流分量、余弦系数，正弦系数，采用频域分析法获得本次所述信号周期;根据所述拟合模型求出最佳对准位置。本方法的优点在于能够实时的对采样点进行模型拟合，实时的求出当前采样数据的信号周期，提高了信号周期的求解精度，进而提高了其对准精度。

主权项

1. 一种硅片对准信号的处理方法，包括以下步骤：（a）对准操作与管理模块确定拟合模型 其中，为光强采样信号，为位置采样信号，DC为直流分量，A为余弦系数，B为正弦系数，P为信号周期；（b）硅片对准系统进行对准扫描，信号采集与处理模块、位置采集与运动控制模块分别采集获得所述光强采样信号和对应的所述位置采样信号，并将所述光强采样信号和所述位置采样信号传送至所述对准操作与管理模块；其特征在于，还包括，（c）将上次所述拟合模型拟合获得的信号周期P代入所述拟合模型，当本次拟合为第一次拟合时，信号周期P代入预先设定初始值，所述对准操作与管理模块根据所述光强采样信号和所述位置采样信号采用最小二乘法拟合获得直流分量DC、余弦系数A，正弦系数B，采用频域分析法获得本次所述信号周期P；（d）根据所述拟合模型求出最佳对准位置。