[发明专利]硅片对准信号的处理方法有效
| 申请号: | 201210155572.8 | 申请日: | 2012-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN103425004A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
| 发明(设计)人: | 陈小娟;赵新;李运锋;赵正栋 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司;上海微高精密机械工程技术有限公司 |
| 主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 对准 信号 处理 方法 | ||
1. 一种硅片对准信号的处理方法,包括以下步骤:
(a)对准操作与管理模块确定拟合模型
其中,为光强采样信号,为位置采样信号,DC为直流分量,A为余弦系数,B为正弦系数,P为信号周期;
(b)硅片对准系统进行对准扫描,信号采集与处理模块、位置采集与运动控制模块分别采集获得所述光强采样信号和对应的所述位置采样信号,并将所述光强采样信号和所述位置采样信号传送至所述对准操作与管理模块;
其特征在于,还包括,
(c)将上次所述拟合模型拟合获得的信号周期P代入所述拟合模型,当本次拟合为第一次拟合时,信号周期P代入预先设定初始值,所述对准操作与管理模块根据所述光强采样信号和所述位置采样信号采用最小二乘法拟合获得直流分量DC、余弦系数A,正弦系数B,采用频域分析法获得本次所述信号周期P;
(d)根据所述拟合模型求出最佳对准位置。
2.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述最小二乘法实时构建矩阵方程Ax=B,其中,
N为采样总数,a、b、c、d、e为矩阵A的元素,、、为矩阵B的元素,矩阵A和B中的元素通过最小二乘法累加数据获得。
3.根据权利要求2所述的处理方法,其特征在于,所述步骤(c)具体包括:
(1)求解所述最小二乘法的各元素累加值;
(2)判断当前采样点是否达到要求的总采样点数,如果当前采样点i等于扫描采样点数N,则进行最小二乘法拟合和频域分析,否则返回步骤(a),继续采集数据。
4.根据权利要求2所述的处理方法,其特征在于,所述频域分析法为离散傅里叶变换法。
5.根据权利要求2所述的处理方法,其特征在于,所述频域分析法为频域抽取法快速傅里叶变换。
6.根据权利要求2所述的处理方法,其特征在于,所述频域分析法的具体步骤为:
计算信号的频谱特性,求的模,判断幅值大小为第二位的采样点数i,根据计算出信号的基波频率,从而求出本次扫描采样点的信号周期,其中为采样频率。
7.根据权利要求4所述的处理方法,其特征在于,所述离散傅里叶变化的公式为。
8.根据权利要求5所述的处理方法,其特征在于,频域抽取法快速傅里叶变换的公式为
其中:、、r=0,1,...,N/2-1。
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