[发明专利]一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法有效
| 申请号： | 201210152496.5 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102664130A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈军;林琳;刘更新;许宁生;邓少芝 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J9/24;H01J9/38;H01J29/02 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法。本方法将热氧化制备CuO纳米线与低熔点玻璃粉的烧结同步进行，可以在场发射显示器的阴极基板上生长CuO纳米线冷阴极的同时固化低熔点玻璃粉。本发明工艺简单，既简化了场发射显示器的工艺流程，可以节约制作成本，也可以避免封装的烧结过程对CuO纳米线冷阴极发射特性造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 过程 实现 cuo 纳米 生长 发射 显示器 方法 | ||
【主权项】：
一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法，其特征在于包括以下顺序的步骤：a)首先在阴极基板上制备导电层和铜膜；b)将阴极基板及带荧光粉层的阳极基板对准并固定；c)在阴极和阳极基板之间的缝隙涂覆低熔点玻璃粉；d)安装排气管；e)通过排气管，向器件内部通入氧气、空气或含有氧气的混合气体；f)按照一定的升温速率，将整个器件加热至400～450℃，并保温1～5小时，最后降温。
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