[发明专利]一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法

权利要求书

1.一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法，其特征在于包括以下顺序的步骤：

a)首先在阴极基板上制备导电层和铜膜；

b)将阴极基板及带荧光粉层的阳极基板对准并固定；

c)在阴极和阳极基板之间的缝隙涂覆低熔点玻璃粉；

d)安装排气管；

e)通过排气管，向器件内部通入氧气、空气或含有氧气的混合气体；

f)按照一定的升温速率，将整个器件加热至400～450℃，并保温1～5小时，最后降温。

2.根据权利要求1所述的一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法，其特征是：阴极基板为二极结构或带栅极的结构。

3.根据权利要求1所述的一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法，其特征是：阴极基板导电层和铜膜的镀膜方法为电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射。

4.根据权利要求1所述的一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法，其特征是：所述的铜膜厚度为500nm～2μm。

5.根据权利要求1所述的一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法，其特征是：所述导电层的材料是Cr、Al、Ti、ITO中的一种或几种的组合，厚度为200nm～600nm。

6.根据权利要求1所述的一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法，其特征是：所述排气管安装于阴极基板或阳极基板上。

7.根据权利要求1所述的一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法，其特征是：升温速度是每分钟1度～15度。

8.根据权利要求1所述的一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法，其特征是：通入气体的流量范围是100sccm～5slm。