[发明专利]制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法有效
| 申请号： | 201210150154.X | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102684070A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 罗帅;季海铭;杨涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。本发明是在砷化铟/磷化铟量子点生长停顿间隙，通过改变五族保护源流量来抑制As/P互换效应，调控量子点形貌，结合两步生长盖层技术，达到既保持良好光学性能又能调谐发光波长的目的。这种方法可以实现InAs/InP量子点发光波从1.3-1.7微米(μm)宽达400nm的范围内可控调节。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 砷化铟 磷化 量子 激光器 有源 方法 | ||
【主权项】：
一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。
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