[发明专利]制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法

权利要求书

1.一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：

步骤1：选择一磷化铟衬底；

步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；

步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；

步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；

步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。

2.根据权利要求1所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中多周期的砷化铟量子点有源层的周期数为1-20。

3.根据权利要求2所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中多周期的砷化铟量子点有源层的每一周期包括一量子点层，第一盖层，第二盖层；沉积完砷化铟量子点层，关闭铟源，生长停顿期间通过降低砷保护气氛流量或者交替开和关砷源，起到调节量子点发光波长的作用，在量子点上生长第一盖层，在第一盖层上生长第二盖层。

4.根据权利要求3所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中生长停顿时间在120秒以内，砷保护气氛的摩尔流量≥0sccm。

5.根据权利要求3所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中第一盖层的生长温度介于430至560℃之间，淀积厚度介于1到20nm之间，该第二盖层的生长温度高于第一盖层的生长温度，该砷化铟量子点有源层的厚度小于60nm。

6.根据权利要求1所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中磷化铟缓冲层的生长温度介于550℃至650℃之间；V族与III族源摩尔比大于50。

7.根据权利要求1所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中铟镓砷磷薄层的生长温度介于550℃至650℃之间；淀积厚度小于300nm。

8.根据权利要求1所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中量子点层的生长温度介于430至560℃之间；沉积厚度介于1至5个原子单层。

9.根据权利要求1所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中外延生长包括分子束外延法和金属有机化学沉积法。