[发明专利]一种微型氮化镓集成器件无效
| 申请号： | 201210145692.X | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103390616A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘朋;王振中;李超 | 申请（专利权）人： | 无锡派腾微纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214174 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种微型氮化镓集成器件，包括提供氮化镓衬底材料；在氮化镓衬底表面制作欧姆接触电极和肖特基接触电极，形成排列成全波整流桥结构的平面氮化镓二极管阵列、独立的场效应晶体管和独立的平面二极管。应用本发明，可以在单一芯片上实现复杂的功能，降低制造成本，降低封装成本；应用本发明的电力转换装置，可以降低导通损耗、提高开关速度、减少散热装置、减小电路面积、减小电容和电感器件的体积和重量，实现小型化和轻型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 氮化 集成 器件 | ||
【主权项】：
一种微型氮化镓集成器件，其特征在于，包括：氮化镓衬底；在所述氮化镓衬底上形成隔离结构，将所述氮化镓衬底隔离为至少2个电绝缘区域的隔离区域；位于各区域的排列成全波整流桥结构的平面型二极管阵列，以及零个或者一个独立平面二极管，以及零个或者一个独立场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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