[发明专利]一种微型氮化镓集成器件

权利要求书

1.一种微型氮化镓集成器件，其特征在于，包括：氮化镓衬底；在所述氮化镓衬底上形成隔离结构，将所述氮化镓衬底隔离为至少2个电绝缘区域的隔离区域；位于各区域的排列成全波整流桥结构的平面型二极管阵列，以及零个或者一个独立平面二极管，以及零个或者一个独立场效应晶体管。

2.依据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述隔离结构的材料为掺铁离子或者氧离子或者氮离子的氮化镓材料，所述隔离结构的深度范围是200nm至1500nm。

3.依据权利要求1所述的微型氮化镓集成器件，其特征在于，排列成全波整流桥结构的平面型二极管阵列，不同二极管之间的连接通过所沉积的金属电极的连接来实现。

4.依据权利要求1所述的微型氮化镓集成器件，其特征在于，所述排列成全波整流桥结构的平面型二极管阵列，以及零个或者一个独立平面二极管，所述平面二极管的类型是肖特基二极管或者场效应二极管。

5.依据权利要求1所述的微型氮化镓集成器件，其特征在于，所述排列成全波整流桥结构的平面型二极管阵列，当输入为两相交流输入时，所包含的平面二极管的数目为4；当输入为三相交流输入时，所包含的平面二极管的数目为6。

6.依据权利要求1所述的微型氮化镓集成器件，其特征在于，所述独立平面二极管与所述排列成全波整流桥结构的平面型二极管阵列和所述独立场效应晶体管无公共电极。

7.依据权利要求1所述的微型氮化镓集成器件，其特征在于，所述独立场效应晶体管与所述排列成全波整流桥结构的平面型二极管阵列和所述独立平面二极管无公共电极。