[发明专利]肖特基二极管的制备方法无效
| 申请号： | 201210141590.0 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102655091A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 冯永浩 | 申请（专利权）人： | 广州晟和微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 510380 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，涉及电子元器件制备技术领域，所述方法包括以下步骤：S1：在硅衬底上表面沉积多晶硅层；S2：进行预设时间的高温处理和退火处理，以实现在所述硅衬底和多晶硅层之间形成类外延层；S3：去除表面的多晶硅层。本发明的制备方法替代了传统的高成本的外延工艺，大大降低了制作肖特基二极管的成本，并简化了制备步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1：在硅衬底上表面沉积多晶硅层；S2：进行预设时间的高温处理和退火处理，以实现在所述硅衬底和多晶硅层之间形成类外延层；S3：去除表面的多晶硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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