[发明专利]肖特基二极管的制备方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1：在硅衬底上表面沉积多晶硅层；

S2：进行预设时间的高温处理和退火处理，以实现在所述硅衬底和多晶硅层之间形成类外延层；

S3：去除表面的多晶硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3之后还包括以下步骤：

S4：在所述类外延层上选择性离子注入形成P+二极管区；

S5：进行初始氧化，并光刻形成氧化隔离区；

S6：在步骤S5的基础上，进行上表面和下表面的淀积金属，以形成低压肖特基二极管。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述硅衬底为均匀掺杂高浓度N型介质的硅片。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述N型介质为磷。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预设时间为10小时。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述高温处理的温度为1270°。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中通过化学腐蚀的方法去除表面的多晶硅层。