[发明专利]近红外发光的铋掺杂氯代五硼酸钡晶体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210141044.7 申请日: 2012-05-08
公开(公告)号: CN102703067A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 彭明营;郑嘉裕;邱建荣;董国平;马志军 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C09K11/63 分类号: C09K11/63;C30B29/22;C30B1/10;C30B11/00
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 徐嵩
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了近红外发光的铋掺杂氯代五硼酸钡晶体及其制备方法。铋掺杂氯代五硼酸钡晶体的化学式为Ba2(1-x)B5O9Cl∶2xBi,0.0001≤x≦0.10。本发明还公开了采用高温固相法和熔体法分别制备铋掺杂氯代五硼酸钡晶体的方法。高温固相法是将含钡、硼、氯及铋的化合物原料研磨混匀后,预烧,研磨混匀再进行高温烧制,将烧制后的材料于800-1000oC还原性气氛下反应;与现有稀土掺杂材料相比,本发明制备的Ba2B5O9Cl∶Bi晶体具有覆盖紫外、可见及近红外光谱区的吸收,具有800-1500nm的宽带近红外发光,荧光半高宽大于200nm,荧光寿命长于30微秒。
搜索关键词: 红外 发光 掺杂 氯代五 硼酸 晶体 及其 制备 方法
【主权项】:
一种铋掺杂氯代五硼酸钡晶体,其特征在于,所述铋掺杂氯代五硼酸钡晶体的化学式为Ba2(1‑x)B5O9Cl:2xBi,0.0001≤x≦0.10。
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