[发明专利]近红外发光的铋掺杂氯代五硼酸钡晶体及其制备方法有效
申请号: | 201210141044.7 | 申请日: | 2012-05-08 |
公开(公告)号: | CN102703067A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 彭明营;郑嘉裕;邱建荣;董国平;马志军 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C09K11/63 | 分类号: | C09K11/63;C30B29/22;C30B1/10;C30B11/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 徐嵩 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 发光 掺杂 氯代五 硼酸 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种铋掺杂氯代五硼酸钡晶体,其特征在于,所述铋掺杂氯代五硼酸钡晶体的化学式为Ba2(1-x)B5O9Cl:2xBi,0.0001≤x≦0.10。
2.一种铋掺杂氯代五硼酸钡晶体的高温固相制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)称取含钡、硼、氯及铋的化合物原料,其摩尔比为钡:硼:氯:铋=2(1-x):5:1:2x,其中0.0001≤x≤0.10;含钡的化合物原料为碳酸钡、氢氧化钡、氧化钡、硝酸钡、草酸钡或醋酸钡;含硼的化合物原料为硼酸、三氧化二硼或偏硼酸;含氯的化合物原料为氯化钡、氯化铵或含结晶水的氯化钡;含铋的化合物原料为三氧化二铋、铋粉、碱式碳酸铋或氯化铋;
(2)将称好的原料研磨混匀后,在温度为400~750oC进行预烧;
(3)原料预烧后取出,再次研磨混匀后,进行高温烧制,控制温度800~1000oC;
(4)将烧制后的材料于800-1000oC还原性气氛下反应15分钟~10小时,即制得掺杂晶体。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述还原性气氛为石墨粉不完全燃烧产生的一氧化碳、氢气或氮氢混合气。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)温度至400~750oC的升温速率为0.4~3oC/分钟。
5.一种铋掺杂氯代五硼酸钡晶体的熔体制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)称取含钡、硼、氯及铋的化合物原料,其摩尔比为钡:硼:氯:铋=a:b:c:d,其中20≤a≤30,12≤b≤16,30≤c≤50,0.002≤d≤3;含钡的化合物原料为碳酸钡、氢氧化钡、氧化钡、硝酸钡、草酸钡或醋酸钡;含硼的化合物原料为硼酸、三氧化二硼或偏硼酸;含氯的化合物原料为氯化钡或氯化铵;含铋的化合物原料为三氧化二铋、铋粉、碱式碳酸铋或氯化铋;
(2)将称好的原料研磨混匀后,于温度为950~1100oC,中性气氛下熔化;所述中性气氛为氮气或氩气氛;
(3)控制冷却速率,先冷却至温度800~900oC,保温使晶体长大,再冷却至室温;
(4)分离后的晶体在800-1000oC还原性气氛下反应15分钟~10小时,即可制得所需晶体。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述还原性气氛为一氧化碳、氢气或氮氢混合气。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)温度至800~900oC的升温速率为0.4~3oC/分钟。
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