[发明专利]用于少子寿命测量的硅片表面处理方法无效
| 申请号： | 201210140637.1 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102709170A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王梅花;张驰;熊震;付少永 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02;G01R31/26 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,包括以下步骤：1）粗抛：利用物理方法抛光原生硅片，去除硅片在切割过程中产生的损伤层；2）精抛：将粗抛后的硅片采用的抛光液进行精抛，抛光液为粒径尺寸0.4μm-1μm的金刚砂悬浮液，抛光后表面粗糙度Ra为：0.02μm-0.06μm，去除步骤1残留的微损伤层；3）清洗：将精抛后的硅片用去离子水清洗，去除残留的抛光液后烘干；4）漂洗；5）干燥；6）钝化。本发明的有益效果是：通过合理的物理方法，提高硅片抛光质量，并结合漂洗钝化工艺，使得测量结果更接近体于硅片的体寿命，提高了少子寿命的测试精度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 少子 寿命 测量 硅片 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,其特征是：包括以下步骤：1）粗抛：利用物理方法抛光原生硅片，去除硅片在切割过程中产生的损伤层；2）精抛：将粗抛后的硅片采用的抛光液进行精抛，抛光液为粒径尺寸0.4μm‑1μm的金刚砂悬浮液，抛光后表面粗糙度Ra为：0.02μm‑0.06μm，去除步骤1残留的微损伤层；3）清洗：将精抛后的硅片用去离子水清洗，去除残留的抛光液后烘干；4）漂洗；5）干燥；6）钝化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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