[发明专利]用于少子寿命测量的硅片表面处理方法

权利要求书

1.一种用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,其特征是：包括以下步骤：

1）粗抛：利用物理方法抛光原生硅片，去除硅片在切割过程中产生的损伤层；

2）精抛：将粗抛后的硅片采用的抛光液进行精抛，抛光液为粒径尺寸0.4μm-1μm的金刚砂悬浮液，抛光后表面粗糙度Ra为：0.02μm-0.06μm，去除步骤1残留的微损伤层；

3）清洗：将精抛后的硅片用去离子水清洗，去除残留的抛光液后烘干；

4）漂洗；

5）干燥；

6）钝化。

2.根据权利要求1所述的用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,其特征是：步骤1中，通过粗抛去除损伤层厚度为10μm-30μm，抛光后表面粗糙度Ra为：0.04μm-1.0μm，粗抛砂纸为1000#-4000#，时间为：2min-10min。

3.根据权利要求1所述的用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,其特征是：步骤2中，抛光时间为2min-8min，去除损伤层厚度为4μm-10μm。

4.根据权利要求1所述的用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,其特征是：步骤4中，将上述硅片先后浸入RCAI和RCAII溶液中漂洗。

5.根据权利要求1所述的用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,其特征是：步骤5中，将漂洗后的硅片置于去离子水中漂洗后用氮气吹干。

6.根据权利要求1所述的用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,其特征是：步骤6中利用等离子体气相化学沉积法在硅片表面双面沉积氮,氮化硅薄膜厚度为70nm-90nm。