[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210139862.3 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390644B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;张珂珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙结构、栅极堆叠结构和栅极侧墙结构两侧的衬底中的源漏区，其特征在于栅极侧墙结构中包括至少一个由空气填充的栅极侧墙空隙。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用碳基材料形成牺牲侧墙，刻蚀去除牺牲侧墙之后形成了空气隙，有效降低了侧墙的整体介电常数，因而降低了栅极侧墙寄生电容，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙结构、栅极堆叠结构和栅极侧墙结构两侧的衬底中的源漏区，其特征在于：栅极侧墙结构中包括第一和第三栅极侧墙以及夹设在第一和第三栅极侧墙之间的至少一个由空气填充的栅极侧墙空隙，第一和第三栅极侧墙的顶部和底部由栅极侧墙空隙完全隔开，沉积在整个器件上的SiN、SiON材质的接触刻蚀停止层与第一和第三栅极侧墙相接合从而封闭了栅极侧墙空隙，接触刻蚀停止层覆盖第一和第三栅极侧墙的顶部、以及源漏区之上的第一层间介质层，第二、第三层间介质层在接触刻蚀停止层上。
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