[发明专利]一种JFET器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210138212.7 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102646701A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;杨海波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/40;H01L29/808;H01L21/28;H01L21/762;H01L21/337 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种JFET器件及其形成方法。本发明通过对漂移区横向浓度进行线性优化，并结合具有一定角度的场氧结构和阶梯场板结构，在获得高的最大漏源电压（V(BR)DS）的同时，降低了寄生的漂移区电阻，实现了饱和漏极电流（IDSS）的提高，另外，本发明JFET器件的沟道区由注入和/或热推进形成，由于注入和热推进的工艺稳定性较高，夹断电压VP也有着较高的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 jfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种JFET器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的漂移区，所述漂移区的掺杂浓度为线性变化；位于所述漂移区表面的栅极；位于所述漂移区表面的源极和漏极，且所述源极和漏极位于所述栅极的两侧；位于所述漂移区表面的场氧，且所述场氧位于所述栅极和所述漏极之间；位于所述场氧上的阶梯场板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司，未经上海先进半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210138212.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
