[发明专利]一种JFET器件及其形成方法

权利要求书

1.一种JFET器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底中的漂移区，所述漂移区的掺杂浓度为线性变化；

位于所述漂移区表面的栅极；

位于所述漂移区表面的源极和漏极，且所述源极和漏极位于所述栅极的两侧；

位于所述漂移区表面的场氧，且所述场氧位于所述栅极和所述漏极之间；

位于所述场氧上的阶梯场板。

2.如权利要求1所述的JFET器件，其特征在于，所述半导体衬底为P-衬底。

3.如权利要求1所述的JFET器件，其特征在于，所述漂移区为从漏极到源极浓逐渐变淡的N阱。

4.如权利要求3所述的JFET器件，其特征在于，所述N阱的结深为小于等于12um。

5.如权利要求3所述的JFET器件，其特征在于，所述栅极包括栅极P型体区和栅极P型引出区，所述栅极P型体区位于所述N阱中，且位于所述源极和场氧之间，所述栅极P型引出区位于栅极P型体区内。

6.如权利要求5所述的JFET器件，其特征在于，所述栅极P型体区到P-衬底的N阱区域为沟道区。

7.如权利要求1所述的JFET器件，其特征在于，所述场氧呈台阶状。

8.如权利要求1所述的JFET器件，其特征在于，所述场氧包括第一场氧及与所述第一场氧相连的第二场氧，所述第二场氧呈鸟嘴形。

9.如权利要求8所述的JFET器件，其特征在于，所述第一场氧的厚度为4000埃~15000埃，所述第一场氧的侧面与漂移区成10°~45°角。

10.如权利要求9所述的JFET器件，其特征在于，所述第二场氧的厚度小于等于第一场氧的厚度。

11.一种JFET器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述衬底的中形成漂移区，所述漂移区的掺杂浓度为线性变化；

在所述漂移区上形成场氧；

在所述场氧上淀积多晶硅层并进行掺杂；

刻蚀所述多晶硅层形成阶梯场板；

在漂移区内形成栅极；

在漂移区内形成源极和漏极，且所述源极和漏极位于所述栅极的两侧。

12.如权利要求11所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，所述衬底为P-衬底。

13.如权利要求11所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，所述漂移区为采用不等宽且不等间距的N阱光刻胶线条，进行热推进后形成从漏极到源极浓度逐渐变淡的线性掺杂N阱。

14.如权利要求11所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，所述形成场氧的工艺包括如下步骤：

形成氧化层，并做损伤性硅或氩注入；

刻蚀氧化层，形成第一场氧；

用局部场氧化工艺形成第二场氧，所述第一场氧和第二场氧相连。

15.如权利要求14所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，所述场氧呈台阶状，所述第二场氧呈鸟嘴形。

16.如权利要求11所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，在形成场氧之后，淀积多晶硅层并进行掺杂之前，还包括如下步骤：

在漂移区上热生长栅氧化层。

17.如权利要求11所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，在漂移区内形成栅极包括如下步骤：

在漂移区内形成栅极P型体区；

在所述栅极P型体区内形成栅极P型引出区。

18.如权利要求17所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，所述栅极P型体区经多晶硅自对准注入后，采用热推进形成。

19.如权利要求11~18任一项所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，采用快速热退火对掺杂进行激活。