[发明专利]复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构有效
| 申请号： | 201210137851.1 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102646700A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 彭大青;李忠辉;董逊;李亮;倪金玉;张东国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/201;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其结构是衬底上是生长成核层；成核层上是第一缓冲层；在缓冲层上是生长缓冲层；在第二缓冲层上是生长沟道层；在沟道层上是生长势垒层；其生长方法包括，衬底经清洗、吹干后在反应室内高温烘烤；在衬底上生长成核层；在成核层上第一缓冲层；在缓冲层上生长缓冲层；在缓冲层上生长沟道层；在沟道层上生长势垒层；降至室温。优点：依然能够与GaN沟道层形成导带带阶，增强2DEG限域性，提高器件的微波性能和功率特性。可以提高缓冲层热导率，有效降低AlGaN缓冲层HEMT器件的自热效应。AlyGa1-yN缓冲层的晶体质量能得到有效提高。有助于进一步提升器件的性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 缓冲 氮化物 电子 迁移率 晶体管 外延 结构 | ||
【主权项】：
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复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征是衬底上是生长成核层；成核层上是第一缓冲层；第一缓冲层上是生长第二缓冲层；第二缓冲层上是生长沟道层；沟道层上是生长势垒层；其生长方法，包括以下步骤：第一步，衬底经清洗、吹干后在反应室内高温烘烤；第二步，在衬底上生长成核层；第三步，在成核层上第一缓冲层；第四步，在第一缓冲层上生长第二缓冲层；第五步，在第二缓冲层上生长沟道层；第六步，在沟道层上生长势垒层；第七步，降至室温。
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