[发明专利]复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构

权利要求书

1.复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征是衬底上是生长成核层；成核层上是第一缓冲层；第一缓冲层上是生长第二缓冲层；第二缓冲层上是生长沟道层；沟道层上是生长势垒层；

其生长方法，包括以下步骤：

第一步，衬底经清洗、吹干后在反应室内高温烘烤；

第二步，在衬底上生长成核层；

第三步，在成核层上第一缓冲层；

第四步，在第一缓冲层上生长第二缓冲层；

第五步，在第二缓冲层上生长沟道层；

第六步，在沟道层上生长势垒层；

第七步，降至室温。

2.根据权利要求1所述的复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征是所述的第一缓冲层为GaN，生长在成核层表面，第二缓冲层为Al_yGa_1-yN生长在第一缓冲层上面，第一缓冲层和第二缓冲层构成 Al_yGa_1-yN/GaN复合缓冲层。

3.根据权利要求1所述的复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征是所述的Al_yGa_1-yN/GaN复合缓冲层中的第二缓冲层是组分恒定的Al组分范围y=0.02-0.08，或是组分渐变的由第一缓冲层向沟道层方向Al组分由0渐变到y，y=0.02-0.08。

4.根据权利要求1所述的氮复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征是所述Al_yGa_1-yN/GaN复合缓冲层中的第二缓冲层的厚度为0.1-1.0um，第一缓冲层的厚度为0.1-2.5m。

5.根据权利要求1所述的复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征是所述的Al_yGa_1-yN/GaN复合缓冲层的生长温度为700~1200℃。

6.根据权利要求1所述的复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征是所述的沟道层为GaN，厚度为10-500nm。

7.根据权利要求1所述的复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征是所述的势垒层生长在沟道层上，为III-V族氮化物多元合金薄膜及其异质结构。